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National Semiconductor Corporation
Industry: Semiconductors
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Company Profile:
National Semiconductor Corporation designs, develops, manufactures, and markets analog and mixed-signal integrated circuits and sub-systems.
通過該鉛豎直的包的當地語系化凸區域。
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請參閱標頭。
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金屬 (通常鋁) 作為柵電極的裝配式 MOS 過程。
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半導體金屬化至尊電源曝光,短時間內,高電流脈衝的結果通常發生的結果的融化。
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很多的晶片金屬化在同一時間。晶片容納蒸發 (亦即,金屬化) 分庭的數目是經常少於晶片容納擴散分庭的數目,這是可能有多個金屬化運行來自運行相同的晶圓片。
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金屬或其它材料的半導體器件,通常不檢出使用光學放大內很小的裂縫。金屬化地區微裂紋最通常發生在接觸的步驟。微裂紋可能導致電路不連續性。
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一種長度單位。106µ = 1 米 (米)。[注: 5 µ 作為一個符號的長度不應與用作首碼表示 microunits,如 µ A (microamps) 或 µ V microvolts) 5、 混淆。A 微米是一個千分尺。]
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搬遷或進或跨其他相鄰的材料物理材料的運動。(請參閱電遷移)。
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在半導體 (如 P 區域,多數載體將孔電子) nonpredominant 移動電荷載體。
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示例設備凡事服從週期的高濕度和溫度應力,以確定這些設備在惡劣環境條件下生存的能力。這通常執行與 10 個週期持續時間 24 小時的示例基礎上。
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